Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
5

Aluminum-Catalyzed Growth of ‹110› Silicon Nanowires

Рік:
2015
Мова:
english
Файл:
PDF, 868 KB
english, 2015
7

Thin Film Transistors Using Wafer-Scale Low-Temperature MOCVD WSe2

Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.11 MB
english, 2016
10

Chemical vapor deposition of fine-grained equiaxed tungsten films

Рік:
1991
Мова:
english
Файл:
PDF, 651 KB
english, 1991
13

In situ stress measurements during MOCVD growth of AlGaN on SiC

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 356 KB
english, 2004
14

Effect of diborane on the microstructure of boron-doped silicon nanowires

Рік:
2005
Мова:
english
Файл:
PDF, 713 KB
english, 2005
15

Modeling studies of the chemical vapor deposition of boron films from B2H6

Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 190 KB
english, 2007
19

Effect of reactor pressure on catalyst composition and growth of GaSb nanowires

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 914 KB
english, 2010
25

Foreword

Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 42 KB
english, 2001
26

Foreword

Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 39 KB
english, 2002
30

Silicon Nanowire Array Photoelectrochemical Cells

Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 143 KB
english, 2007
32

The effect of pattern density and wire diameter on the growth rate of micron diameter silicon wires

Рік:
2011
Мова:
english
Файл:
PDF, 816 KB
english, 2011
33

Dislocation bending and tensile stress generation in GaN and AlGaN films

Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 447 KB
english, 2012
38

Effect of AlN interlayers on growth stress in GaN layers deposited on (111) Si

Рік:
2005
Мова:
english
Файл:
PDF, 382 KB
english, 2005